RFHIC представляет GaN гибридный усилитель мощностью 8 Вт, работающий в диапазоне частот от 100 до 960 MГц, что соответствует требованиям открытого стандарта цифровой транкинговой  радиосвязи TETRA.

Новый класс гибридных GaN-усилителей от компании RFHIC, построенных по технологии GaN-на-SiC (нитрид галлия на карбиде кремния), имеет следующие технические характеристики:

• в диапазоне VHF 8 Вт при 130–450 МГц с КПД 60%,
• в диапазоне UHF 6 Вт при 450–960 МГц с КПД 50%,
• входное напряжение 24–34 В.

Устройства выполнены в компактном корпусе (15×10×5,4 мм), предназначенном для SMD (поверхностного) монтажа, с керамической подложкой на медном теплоотводящем основании.  

Современные усилители стандарта TETRA основаны на технологии LDMOS и работают при напряжениях питания 5–12 В. Рабочие частоты предыдущих версий данного устройства делились на 3–5 диапазонов: 130–220 МГц, 380–400 МГц, 410–470 МГц, 560–580 МГц и 870–933 МГц, комбинация которых приводила к неизбежным ухудшениям характеристик усилителя. Текущее развитие технологии TETRA требует использования полностью всего диапазона 100–960 МГц, и новый гибридный широкополосный усилитель от компании RFHIC на нитриде галлия точно соответствует этому требованию. Он был разработан для потребителей, которые ищут более эффективное решение для проектирования систем радиосвязи. Одна система стандарта TETRA, реализованная на новом усилителе RFHIC, может полностью покрыть диапазон 100–960 МГц, работая с КПД 50–70%.

RFHIC

Компания RFHIC — это производитель компонентов и подсистем, которые используются в проводных и беспроводных телекоммуникационных системах и базовых станциях.

Основная технология, которую компания RFHIC традиционно применяла в своих компонентах -- GaN (нитрид галлия). В 2009 году с компанией CREE (США) было заключено соглашение о применении транзисторов GaN-on-SiC (нитрид галлия на карбиде кремния) для линейки RFHIC HEMT. Кроме того, компании договорились о совместной работе в области продвижения GaN HEMT-транзисторов путем расширения производства подложек на площадке CREE, дальнейшего корпусирования и использования их в готовых усилителях RFHIC. Данная технология была выбрана не случайно: она обладает преимуществами по температурным и электрическим характеристикам по отношению к ранее используемой технологии GaN-on-Si (нитрид галлия на кремнии). Объединение усилий двух ведущих производителей CREE и RFHIC позволит в краткие сроки обеспечить рынок высококачественными готовыми решениями и компонентами, созданных по передовым технологиям.

Источник