Компания ПРОСОФТ подписала дистрибьюторское соглашение с корейской фирмой RFHIC — одним из ведущих мировых производителей СВЧ–компонентов.

RFHIC — молодая, быстроразвивающаяся компания на рынке беспроводных технологий, предлагающая широкий ассортимент изделий в области активных СВЧ-компонентов для различных приложений. В производственную программу RFHIC входит широкий ряд компонентов для базовых и промежуточных станций, LTE, WiMAX, UMTS, цифрового телевидения, радаров, медицинского и военного оборудования.

Включая в свою программу поставок продукцию RFHIC, ПРОСОФТ получает возможность предлагать заказчикам не только СВЧ-компоненты, но и готовые модули на их основе, такие как различного рода усилители, повторители, конверторы и компоненты для систем фазовой автоматической подстройки частоты (ФАПЧ) от известного мирового производителя.

Компания RFHIC была основана в 1999 году и сразу завоевала лидирующие позиции на рынках телекоммуникационного оборудования и оборудования для кабельного телевидения за счет инновационного подхода к технологиям создания компонентов. Для обеспечения заказчиков высококачественной продукцией на оптимальных условиях на собственном заводе RFHIC реализован полный производственный цикл: разработка, посадка кристалла на подложку, разварка контактов, корпусирование. Компания также широко применят гибридные технологии. Кроме того, производственная база оснащена линиями поверхностного монтажа и СВЧ-контроля.

Основная технология, которую компания RFHIC традиционно применяла в своих компонентах — GaN (нитрид галлия). В 2009 году с компанией CREE (США) было заключено соглашение о применении транзисторов GaN-on-SiC (нитрид галлия на карбиде кремния) для линейки RFHIC HEMT. Кроме того, компании договорились о совместной работе в области продвижения GaN HEMT-транзисторов путем расширения производства подложек на площадке CREE, дальнейшего корпусирования и использования их в готовых усилителях RFHIC. Данная технология была выбрана не случайно: она обладает преимуществами по температурным и электрическим характеристикам по отношению к ранее используемой технологии GaN-on-Si (нитрид галлия на кремнии). Объединение усилий двух ведущих производителей CREE и RFHIC позволит в краткие сроки обеспечить рынок высококачественными готовыми решениями и компонентами, созданных по передовым технологиям.

Источник